Magnetinio lauko įtakos tyrimas taikant lauko tranzistorių magnetoreaktyvinį efektą
|
| Title | Magnetinio lauko įtakos tyrimas taikant lauko tranzistorių magnetoreaktyvinį efektą |
| Authors | |
| Abstract | Pasiūlytas magnetinio lauko stiprumo matavimo metodas sąlygojamas magnetoreaktyvinio efekto pasireiškimu bipoliariuose ir lauko tranzistoriuose. Parodyta, kad reaktyvinės dedamosios pokytis priklauso nuo indukcijos tankio. Nustatyta, kad lauko tranzistoriuose tarp ištakos ir santakos elektrodų reaktyviosios dedamosios jautris yra 0,6 Ohm/mT, o bipoliariuose tranzistoriuose tarp emiterio ir kolektoriaus - 12,5 Ohm/mT. Tokie reaktyviosios dedamosios pokyčiai yra svarbūs ir patvirtina, kad galima gaminti tokius radijo matavimams skirtus keitiklius. Il. 3, bibl. 8 (anglų kalba; santraukos anglų ir lietuvių k.).http://dx.doi.org/10.5755/j01.eee.109.3.185 |
| Publisher | Kaunas University of Technology |
| Date | 2011-03-21 |
| Source | Elektronika ir elektrotechnika Vol 109, No 3 (2011) |
| Rights | Autorių teisės yra apibrėžtos Lietuvos Respublikos autorių teisių ir gretutinių teisių įstatymo 4-37 straipsniuose. |