Šuntinio stiprintuvo įdiegimas 0,18 µm CMOS procese
|
| Title | Šuntinio stiprintuvo įdiegimas 0,18 µm CMOS procese |
| Authors | |
| Abstract | Šuntinis stiprintuvas (ŠA) yra viena iš pagrindinių CMOS atminties grandžių. Tyrimo tikslas – 0,18 µm CMOS procese įdiegti šuntinį stiprintuvą, siekiant sumažinti skaitymo galią ir padidinti jutimo operacijos patikimumą. RFID transponderyje EEPROM naudojama duomenims saugoti. Atminties informacijos išrinkimo trukmė, galios suvartojimas ir EEPROM patikimumas labai priklauso nuo ŠA savybių. Srovinio tipo ŠA sukelia didesnių srovių ar galios, kurios yra netinkamos žemos įtampos RFID transponderio taikomosioms sistemoms, išskaidymo problemų. Pasiūlytas įtampos tipo ŠA gali veikti esant labai mažai įtampai – nuo 1 V iki 2,6 V. ŠA grandynas skirtas temperatūrų nuo -25 0C iki 125 0C sričiai. Modifikuotas žemos įtampos SA yra tinkamas mažos įtampos aplikacijoms kaip RFID EEPROM. Il. 6, bibl. 10, lent. 1 (anglų kalba; santraukos anglų ir lietuvių k.).DOI: http://dx.doi.org/10.5755/j01.eee.120.4.1466 |
| Publisher | Kaunas University of Technology |
| Date | 2012-04-06 |
| Source | Elektronika ir elektrotechnika Vol 120, No 4 (2012) |
| Rights | Autorių teisės yra apibrėžtos Lietuvos Respublikos autorių teisių ir gretutinių teisių įstatymo 4-37 straipsniuose. |