Indandiono darinių plonų plėvelių fotoelektrinės savybės ir energinė struktūra
|
Title | Indandiono darinių plonų plėvelių fotoelektrinės savybės ir energinė struktūra |
Authors | |
Abstract | Siekiant ištirti indandiono darinių fotoelektrines savybes. Buvo paruošta sumuštinio tipo struktūra iš dviejų dimetilaminobenziliden-1,3-indandiono (DMABI) junginių, įdėtų tarp metalo elektrodų. DMABI yra organinis izoliatorius su plačiu tarpu tarp energetinių lygmenų ir didele fotogeneracijos kvantine išeiga. DMABI dariniai sulaukė didelio dėmesio dėl didelio dipolio momento ir optinio netiesiškumo. Be to, tai yra fotojautrios medžiagos, todėl galėtų būti naudojamos saulės elementuose. Kiekvienos medžiagos ir kombinuotų sistemų energinių lygmenų tarpai buvo nustatyti iš fotolaidumo kvantinės išeigos spektrinės priklausomybės ir gauti rezultatai palyginti su medžiagų oksidacijos ir redukcijos potencialais. Eksperimentiniai fotolaidumo ir voltamperometrijos duomenys gerai koreliuoja su apskaičiuotais molekulių HOMO ir LUMO lygmenimis.http://dx.doi.org/10.5755/j01.ms.17.2.480 |
Publisher | Kaunas University of Technology |
Date | 2011-07-25 |
Source | Medžiagotyra Vol 17, No 2 (2011) |
Rights | Copyright terms are indicated in the Republic of Lithuania Law on Copyright and Related Rights, Articles 4-37. The copyright for articles in this journal are retained by the author(s), with first publication rights granted to the journal. By virtue of their appearance in this open access journal, articles are free to use with proper attribution in educational and other non-commercial settings. |