Logo Goletty

Porėtojo silicio su CdSe/ZnS kvantiniais taškais fotoliuminescencinės savybės
Journal Title Materials Science
Journal Abbreviation MatSc
Publisher Group Kaunas University of Technology (KTU) Open Journal Systems (KTU)
Website http://www.eejournal.ktu.lt/index.php/MatSc
PDF (1,444 kb)
   
Title Porėtojo silicio su CdSe/ZnS kvantiniais taškais fotoliuminescencinės savybės
Authors JARIMAVIČIŪTĖ-ŽVALIONIENĖ, Renata; WALUK, Jacek; PROSYČEVAS, Igoris
Abstract Puslaidininkinio tipo nanodalelės dėl savo unikalių optinių ir elektrinių savybių pastaruoju metu patraukė daugelio tyrinėtojų dėmesį. Šio tipo dalelės gali būti plačiai taikomos šviesą emituojančių diodų, lazerių, liuminescuojančiųjų nanokompozitų, saulės elementų gamyboje, taip pat kuriant medicinos diagnostikos priemones. Ypač susidomėta branduolio ir apvalkalo tipo dalelėmis, sudarytomis iš dviejų tipų puslaidininkių, pvz., CdSe/ZnSe, CdSe/ZnS arba CdSe/CdTe, kur pirmasis puslaidininkis yra naudojamas kaip branduolys, o antrasis - kaip apvalkalas, kuris turi platesnę draustinių energijų juostą nei pirmasis. Kombinuojant jau žinomas medžiagas, tokias kaip porėtasis silicis, su nanodalelėmis (nanotaškais), galima keisti medžiagų optines savybes ir pagaminti nebrangias šviesą emituojančias medžiagas, kas šiandien yra ypač aktualu. Šiame darbe ant porėtojo silicio (PS) paviršiaus buvo nusodinti regimąją šviesą emituojantys CdSe/ZnS kvantiniai nanotaškai (QD). Porėtosios struktūros silicio paviršiuje buvo suformuotos nuo 5 iki 60 minučių chemiškai ėsdinant HF:HNO3 tirpale (santykiu 4:1), kambario temperatūroje. Po ėsdinimo porėtojo silicio struktūros 30 min valytos cheminiu būdu, H2SO4: H2O2 tirpale. PS ir PS-QD struktūrų paviršiaus morfologija ir optinės savybės ištirtos naudojantis SEM´u ir UV-VIS spektrometrija. Nustatyta, kad porėtųjų struktūrų gylis siekė nuo 14 μm iki 42 μm. Bandinių absorbcija ir jų fotoliuminescencija išmatuota artimo ultravioleto ir regimosios šviesos spektro srityse. Pastebėta, kad suformuoto porėtojo silicio absorbcija yra artima „juodajam" siliciui. Atlikus fotoliuminescencijos matavimus, aptikti du fotoliuminescencijos intensyvumo maksimumai ties 550 nm ±2 nm ir 682 nm ±2 nm ir nustatyta, kad jų intensyvumas, priklausomai nuo sužadinimo bangos ilgio, kito skirtingai.http://dx.doi.org/10.5755/j01.ms.17.3.585
Publisher Kaunas University of Technology
Date 2011-09-16
Source Medžiagotyra Vol 17, No 3 (2011)
Rights Copyright terms are indicated in the Republic of Lithuania Law on Copyright and Related Rights, Articles 4-37. The copyright for articles in this journal are retained by the author(s), with first publication rights granted to the journal. By virtue of their appearance in this open access journal, articles are free to use with proper attribution in educational and other non-commercial settings.

 

See other article in the same Issue


Goletty © 2024