Didelio ploto SiO2/Si membranų formavimas dviem etapais
|
| Title | Didelio ploto SiO2/Si membranų formavimas dviem etapais |
| Authors | |
| Abstract | Pasiūlytas dviejų etapų didelio ploto SiO2/Si membranų formavimo procesas. Membranoms formuoti naudotas dvipusio poliravimo termiškai oksiduoto silicio <100> padėklas. Terminio oksido sluoksnyje fotolitografijos metodu suformuotos ėsdinimo angos, kurių matmenys kito nuo 3 mm × 3 mm iki 0,5 mm × 0,5 mm (žingsnis 0,5 mm). Pirmiausia buvo atliekamas gilusis anizotropinis silicio ėsdinimas tetrametilamonio hidroksido (CH3)4NOH (TMAH) 25 % vandeniniu tirpalu, šildomu iki 85 °C temperatūros, paskui buvo taikomas SF6/O2 dujų reaktyvusis joninis ėsdinimas. Didžiausias TMAH ėsdinimo greitis V = 0,44 mm/min buvo gautas didžiausio ploto (3 mm × 3 mm) membranos. Nustatyta, kad per ilgą ėsdinimo laiką (t = 1080 min) TMAH tirpalas šiek tiek paveikia terminio silicio dioksido sluoksnį (paviršiaus šiurkštumas Ra padidėja nuo 0,558 μm iki 0,604 μm). Didžiausio ploto membranai plazmos galios tankio didėjimas nuo 0,25 W/cm2 iki 1,0 W/cm2 padidina silicio <100> ėsdinimo greitį nuo 0,5 μm/min iki 1,4 μm/min, o mažiausio ploto membranos ėsdinimo greitis didėja nuo 0,4 μm/min iki 1,2 μm/min. Geometrinis modeliavimas parodė, kad, didėjant membranos plotui, įtempiai ir deformacijos ypač padidėja membranos kraštuose ir kampuose.DOI: http://dx.doi.org/10.5755/j01.ms.18.4.3090 |
| Publisher | Kaunas University of Technology |
| Date | 2012-12-17 |
| Source | Medžiagotyra Vol 18, No 4 (2012) |
| Rights | Copyright terms are indicated in the Republic of Lithuania Law on Copyright and Related Rights, Articles 4-37. The copyright for articles in this journal are retained by the author(s), with first publication rights granted to the journal. By virtue of their appearance in this open access journal, articles are free to use with proper attribution in educational and other non-commercial settings. |